上海2014年3月17日電 /美通社/ -- 由盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司自主研發(fā)的新一代12英寸8腔Ultra C SAPS III兆聲波單片清洗設(shè)備亮相Semicon China（展位：N2館2567）。此臺設(shè)備較大的三個亮點為：小面積、高效率、更環(huán)保。

“隨著技術(shù)節(jié)點進入20納米，清洗工藝的步數(shù)在不斷增加，幾乎接近全部生產(chǎn)工藝的三分之一，需要的單片清洗設(shè)備更多。此時，為了提高fab的產(chǎn)能，減少單片清洗設(shè)備的占地面積成為刻不容緩的需求。”盛美半導(dǎo)體設(shè)備公司的創(chuàng)始人、首席執(zhí)行官王暉博士說，“在不損失芯片材料的同時，去除微小顆粒及污染成為當今清洗工藝的一大難題。盛美用獨創(chuàng)的SAPS（Space Alternated Phase Shift）兆聲波技術(shù)與更稀的化學(xué)液（ppm量級）配合，可以解決這一難題。裝備該技術(shù)的Ultra C SAPS II已在國際大生產(chǎn)線上穩(wěn)定運行兩年多，大幅提高了客戶產(chǎn)品的良率。”

這臺Ultra C SAPS III兆聲波單片清洗設(shè)備占地面積僅為2.25米（W）×2.5米（L），是傳統(tǒng)單片清洗設(shè)備占地面積的二分之一，是目前業(yè)界同級別，相同配置中面積較小的12英寸單片清洗設(shè)備,較大產(chǎn)量可達400片/小時。設(shè)備可根據(jù)工藝需求，配置兩種化學(xué)液，ppm量級的化學(xué)液也可緩解當今fab受到的日益增長的環(huán)境保護的壓力。