中微第二代單反應腔等離子體刻蝕設備已在韓國領先的客戶生產線上得到驗證

用于20納米及以下關鍵閃存芯片的加工制造

上海和首爾2013年4月11日電 /美通社/ -- 中微半導體設備有限公司（以下簡稱“中微”）稱已研發(fā)成功第二代單反應臺等離子體刻蝕設備（Primo SSC AD-RIE?）。該設備能夠用于加工要求最為嚴格的半導體器件。在不到一年的時間里，中微的Primo SSC AD-RIE?刻蝕設備在韓國領先的半導體制造企業(yè)中完成了20納米及以下關鍵閃存芯片的生產驗證。該韓國客戶已正式下單訂購，目前正在進行15納米芯片刻蝕的驗證。此前，中微雙反應臺刻蝕設備Primo D-RIE®已在眾多亞洲領先的存儲芯片和邏輯芯片生產線上確立穩(wěn)固地位，而中微這款新刻蝕產品延續(xù)了Primo D-RIE®的創(chuàng)新性。

中微是國內先進的芯片制造高端設備企業(yè)，為全球半導體和LED芯片制造商服務。中微的研發(fā)和運營中心位于上海，全球銷售和市場中心位于新加坡，其團隊由一批來自美國硅谷和亞洲半導體設備領域的專家組成。中微目前的技術成就標志著一個轉折點：中微現(xiàn)在所取得的里程碑式的突破，證實了中微完全有能力為客戶提供具有高競爭力的設備和技術解決方案，并達到客戶最先進芯片的加工要求。更重要的是，中微能夠躋身于世界刻蝕設備領域前列，與美國和日本公司競爭。

除了韓國客戶以外，中國臺灣、日本和其他地區(qū)的芯片生產廠商也對中微的Primo SSC AD-RIE?刻蝕設備表示了極大的興趣。事實上，20納米及以下干法刻蝕所伴隨的極大挑戰(zhàn)已經將小的刻蝕設備供應商排除出局，僅留下一些佼佼者占主導地位。Primo SSC AD-RIE?改變了這種局勢，為行業(yè)提供了又一新的選擇。中微目前正在準備晶片DEMO測試。同時，公司也在和部分客戶合作開發(fā)15納米閃存芯片加工工藝和VNAND工藝。

為了支持韓國客戶并在韓國地區(qū)進一步拓展業(yè)務，中微韓國分公司將于今年在韓國當?shù)亟⒀邪l(fā)中心。

中微董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯博士對韓國客戶給予的密切合作表示衷心感謝，這樣的合作對于解決先進技術難題的發(fā)展必不可少，他指出：“中微對于在韓國當?shù)赝顿Y建立研發(fā)中心、以更好地服務于韓國本地客戶的想法非常贊成，基于這一點，我們正在加快韓國本地化計劃，并且通過加強知識產權保護、現(xiàn)場產品改進計劃和及時現(xiàn)場技術支持來進一步加速這項計劃。”

中微韓國區(qū)總經理KI Yoon對中微的本地化策略作出了進一步的說明，他表示：“我們一直努力發(fā)展韓國本地的供應商，并尋求可靠的合作伙伴，這將使我們能夠更好地服務于客戶在韓國本土和中國所建的芯片生產線，這不僅僅是為了韓國市場，而且也是為了全球市場。在技術方面，我們致力于為韓國以及其他國家的客戶提供創(chuàng)新的技術解決方案，包括第三代CCP介質刻蝕設備、ICP刻蝕設備以及18英寸刻蝕設備的開發(fā)。”

Primo SSC AD-RIE是中微公司已申請的注冊商標。

關于中微半導體設備有限公司

中微公司致力于為全球半導體芯片和LED芯片生產廠商提供先進的工藝和技術，是中國領先的芯片制造設備企業(yè)。公司目前主要提供等離子體刻蝕設備、硅通孔（TSV）刻蝕設備以及MOCVD設備，用于國際一線客戶的芯片加工制造。目前，中微已有200多個刻蝕反應臺在亞洲地區(qū)眾多國際領先的生產線上運行。

如需更多信息，請訪問公司網站：www.amec-inc.com.