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    憶聯(lián)數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD -- UH711a正式發(fā)布 國內(nèi)首款E3.S形態(tài)同步揭曉

    2022-12-26 22:18 4141

    深圳2022年12月26日 /美通社/ -- 為更好地滿足超大規(guī)模的數(shù)據(jù)應(yīng)用,憶聯(lián)發(fā)布數(shù)據(jù)中心級(jí)NVMe SSD -- UH711a以及UH711a E3.S形態(tài)。該系列產(chǎn)品使用自研控制器與長江存儲(chǔ)128L 3D NAND,專為數(shù)據(jù)中心級(jí)業(yè)務(wù)場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。UH711a單盤容量最高達(dá)7.68TB,能為數(shù)據(jù)庫、塊存儲(chǔ)、虛擬化、云主機(jī)等應(yīng)用提供高性能的存儲(chǔ)方案,幫助用戶獲得更優(yōu)的TCO。


    1、性能全面調(diào)優(yōu),業(yè)務(wù)應(yīng)用顯著提速

    UH711a支持高速PCIE Gen4接口,針對(duì)數(shù)據(jù)中心級(jí)業(yè)務(wù)場(chǎng)景及負(fù)載Workload IO模型,在各類場(chǎng)景可提供全面的性能優(yōu)化能力,產(chǎn)品順序讀寫性能高達(dá)7200/4500 MB/s隨機(jī)讀寫性能高達(dá)1700/230K IOPS

    同時(shí),針對(duì)互聯(lián)網(wǎng)典型應(yīng)用場(chǎng)景,采用軟化架構(gòu)設(shè)計(jì),并優(yōu)化IO路徑DB、FSP、HAS和LDPC等硬件資源配置,提升后端NAND顆粒并發(fā)效率,保障互聯(lián)網(wǎng)典型應(yīng)用場(chǎng)景盤片性能。

    2、SR-IOV with QoS 升級(jí)2.0,助力虛擬化業(yè)務(wù)降本增效

    UH711a 通過使能SR-IOV技術(shù)優(yōu)化云業(yè)務(wù)虛擬機(jī)場(chǎng)景,相比SPDK方案優(yōu)勢(shì)顯著。SR-IOV2.0進(jìn)一步優(yōu)化了Nand物理層隔離度,VF間的性能隔離度更好,隨著隔離度的提高在純讀寫及混合場(chǎng)景下分別優(yōu)化到了3%和5%,目前憶聯(lián)SR-IOV 性能及隔離度已達(dá)業(yè)界領(lǐng)先水平

    3、智能多流2.0,保障業(yè)務(wù)長期且穩(wěn)定運(yùn)行

    采用全新K-mean智能聚類算法,提供更精細(xì)的數(shù)據(jù)類型識(shí)別顆粒度,進(jìn)一步提高GC時(shí)的效率,使SSD系統(tǒng)性能最大可提升20%。通過在盤片內(nèi)部將2種數(shù)據(jù)寫入不同的流,降低盤片的寫放大系數(shù),提升全生命周期的穩(wěn)態(tài)性能以及保障產(chǎn)品生命周期后期階段的可靠性

    此外,UH711a還支持DIF、NS管理等OCP2.0規(guī)范,不僅與系統(tǒng)配合實(shí)現(xiàn)端到端的保護(hù),也能在盤內(nèi)實(shí)現(xiàn)獨(dú)立的端到端的保護(hù)機(jī)制,確保盤內(nèi)整個(gè)通路的數(shù)據(jù)安全,從而為數(shù)據(jù)中心在多種極端場(chǎng)景下的正常運(yùn)維提供雙重保護(hù)。

    4、自封顆粒,釋放介質(zhì)原生潛力

    依托憶聯(lián)強(qiáng)大的自主封測(cè)技術(shù),UH711a通過使能自封TLC介質(zhì),在不犧牲性能及可靠性的前提下大幅度降低介質(zhì)應(yīng)用成本,充分挖掘介質(zhì)的原生潛力,提供更好的IO性能。

    5、憶聯(lián)新一代EDSFF E3.S SSD揭曉

    E3.S作為面向云服務(wù)、企業(yè)數(shù)據(jù)中心的NVMe SSD新形態(tài)標(biāo)準(zhǔn),憑借擴(kuò)展性更強(qiáng),以及優(yōu)化了整體效能等優(yōu)勢(shì),已成為數(shù)據(jù)中心SSD未來發(fā)展方向。憶聯(lián)推出的UH711a E3.S 形態(tài),外形尺寸方面,長112.75mm、寬76mm、厚度為7.5mm,單盤容量最高達(dá)15.36TB,支持NVMe 1.4。使用新形態(tài)后,產(chǎn)品順序讀寫性能高達(dá)7200/4400 MB/s,隨機(jī)讀寫性能高達(dá)1700/240K IOPS。該系列產(chǎn)品將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

    消息來源:Union Memory憶聯(lián)
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