臺(tái)北2021年1月6日 /美通社/ -- 隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、電動(dòng)車(chē)蓬勃發(fā)展，對(duì)于低功耗要求越來(lái)越高，功率半導(dǎo)體成為這些產(chǎn)業(yè)勢(shì)不可擋的必備組件。宜特(TWSE: 3289)晶圓后端工藝廠的晶圓減薄能力也隨之精進(jìn)。宜特今(1/6)宣布，晶圓后端工藝廠（竹科二廠），通過(guò)客戶(hù)肯定，成功開(kāi)發(fā)晶圓減薄達(dá)1.5mil(38um)技術(shù)，技術(shù)門(mén)坎大突破。同時(shí)，為更專(zhuān)注服務(wù)國(guó)際客戶(hù)，即日起成立宜錦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。
使用控片測(cè)得2mil、1.5 mil、1.5 mil優(yōu)化條件后的損壞層厚度及TEM分析
宜特指出，功率半導(dǎo)體進(jìn)行“減薄”，一直都是改善工藝，使得功率組件實(shí)現(xiàn)“低功耗、低輸入阻抗”最直接有效的方式。晶圓減薄除了有效減少后續(xù)封裝材料體積外，還可因降低RDS(on)（導(dǎo)通阻抗）進(jìn)而減少熱能累積效應(yīng)，以增加芯片的使用壽命。
但如何在減薄工藝中降低晶圓厚度，又同時(shí)兼顧晶圓強(qiáng)度，避免破片率居高不下之風(fēng)險(xiǎn)自晶圓減薄最大的風(fēng)險(xiǎn)。
為解決此風(fēng)險(xiǎn)，iST宜特領(lǐng)先業(yè)界，已完成2mil(50um)、1.5mil(38um)，甚至到0.4mil(10um)減薄技術(shù)開(kāi)發(fā)，iST宜特更藉由特殊的優(yōu)化工藝，在降低晶圓厚度的同時(shí)，也兼顧晶圓強(qiáng)度，可將研磨損傷層(Damage layer)降到最低。
關(guān)于宜特科技
始創(chuàng)于1994年，iST宜特從 IC 線路除錯(cuò)及修改起家，逐年拓展新服務(wù)，包括失效分析、可靠性驗(yàn)證、材料分析等，建構(gòu)完整驗(yàn)證與分析工程平臺(tái)與全方位服務(wù)。客群囊括電子產(chǎn)業(yè)上游 IC 設(shè)計(jì)至中下游成品端，并建置車(chē)用電子驗(yàn)證平臺(tái)、高速傳輸信號(hào)測(cè)試。宜特秉持著提供客戶(hù)完整解決方案的宗旨，從驗(yàn)證領(lǐng)域，跨入“晶圓后端工藝整合”量產(chǎn)服務(wù)。更多訊息請(qǐng)上官網(wǎng) https://www.istgroup.com
