馬薩諸塞州比爾里卡2015年5月5日電 /美通社/ -- 美國半導(dǎo)體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟(SEMATECH)和Exogenesis Corp.已經(jīng)達(dá)成戰(zhàn)略聯(lián)盟，共同推廣Exogenesis的Accelerated Neutral Atom Beam（加速中性原子束，簡稱“ANAB”）和他們的nAcceltm加速粒子束設(shè)備平臺。SEMATECH首席執(zhí)行官兼總裁Ron Goldblatt博士表示：“芯片行業(yè)正處于原子尺度處理時期。使用正在開發(fā)的ANAB將支持更好的控制和更高的制造效率，同時為半導(dǎo)體裝置打開新功能。”

SEMATECH和Exogenesis將建立一個新公司，為半導(dǎo)體行業(yè)將ANAB技術(shù)推向市場。除了最初的關(guān)注集成電路制造之外，雙方還將在其它納米電子領(lǐng)域開發(fā)ANAB應(yīng)用，這可能會形成更多公司。

ANAB技術(shù)是在深度為幾納米的情況下修改和控制具有原子級控制曲面的獨(dú)特方法，已獲得專利。Exogenesis總裁兼首席執(zhí)行官表示：“其它技術(shù)無法達(dá)到ANAB的性能效果。”化學(xué)修飾、材料去除與沉積、曲面光順以及表面形態(tài)控制都有可能通過ANAB平臺實(shí)現(xiàn)。

ANAB已經(jīng)被用于對藥理及生物相容性進(jìn)行精確控制的生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，以及支持更安全、有效的可植入醫(yī)療設(shè)備的開發(fā)。事實(shí)證明，ANAB能夠?yàn)榘úＡА⒔饘佟⒂袡C(jī)、半導(dǎo)體和聚合材料等各種材料界面帶來好處。

SEMATECH企業(yè)發(fā)展總監(jiān)Ed Barth博士表示：“"SEMATECH和 Exogenesis自2013年以來已經(jīng)作為SEMATECH項(xiàng)目的一部分開始合作，支持半導(dǎo)體行業(yè)采用Extreme Ultraviolet Lithography(極紫外光刻技術(shù)，簡稱EUVL)。”“雙方已經(jīng)展示和公布了ANAB技術(shù)在提高薄硅膜透明度方面的價值，可以顯著提升EUV膜的性能。” Exogenesis與SEMATECH的其它工作表明ANAB處理支持EUV掩模基板的光順?biāo)劫|(zhì)量比傳統(tǒng)方法更卓越，提高了通過他們創(chuàng)造的掩模坯的光學(xué)性能。這些結(jié)果發(fā)布于2014年。

位于紐約州奧爾巴尼的Exogenesis工廠以及NanoTech Complex of SUNY Polytechnic Institute的Colleges of Nanoscale Science and Engineering (SUNY Poly CNSE)將持續(xù)進(jìn)行開發(fā)工作。因此，這個戰(zhàn)略